铜核球抗坍塌性能：电子封装领域的结构稳定性革命

在电子制造领域，多次回焊工艺对元件结构稳定性构成严峻挑战，传统锡球在多次回流条件下易因焊点熔融出现坍塌问题，导致电路短路及产品可靠性问题。而铜核球(CCSB)通过其独特的结构创新为高密度封装技术带来突破，其核心优势在于铜核芯具备1083℃的超高熔点，远高于常规回焊温度，在多次回流过程中能保持固态不变形，为焊点提供坚实支撑，有效防止上级焊点熔融导致的塌陷，从而保障电子元件在密集封装条件下的结构完整性和功能可靠性，成为推动微电子封装技术革新的关键解决方案。

一、“三明治”结构的固态支撑奥秘

铜核球(CCSB)采用独特的“三明治”结构，由三大核心层构成：

铜核芯（50-800μm）：作为力学支撑的“骨骼”，采用高纯度铜材制成，熔点高达1083℃，在常规回焊工艺（200-260℃）中始终保持固态不变形，这意味着在回焊过程中，铜核芯能够保持固态，不会发生熔融变形。

镀镍层（2-5μm）：作为界面稳定的“纽带”，通过镀镍工艺在铜核芯表面形成致密镍层，不仅增强了铜核球的机械强度，还有效防止了铜与钎料之间的直接接触，从而避免了铜和焊料层生成金属间化合物（IMC），导致可靠性降低。

外镀层（5-50μm）：作为功能实现的“皮肤”，根据应用需求可选择Sn、Au、SC/SAC/SA 等镀层，提高焊接性能，而内部铜核芯的固态支撑则确保焊点在冷却后保持稳定形态。

二、核心应用优势

1. 高密度3D封装

在高密度3D封装中，铜核球(CCSB)的抗坍塌性能尤为重要。由于3D封装需要在有限的空间内集成更多的电子元件，焊点的稳定性直接关系到整个封装结构的可靠性。铜核球(CCSB)的高熔点和良好的机械性能使其能够在多次回焊过程中保持稳定，为高密度封装提供了可靠的解决方案。

2. 窄间距封装

随着电子元件的小型化，窄间距封装成为了一种趋势。铜核球(CCSB)的抗坍塌性能使其能够在窄间距封装中保持焊点的稳定性和可靠性。与传统的锡球相比，铜核球(CCSB)在回焊过程中不会发生坍塌，从而避免了焊点之间的短路和封装空间的变窄。

三、抗塌技术革新

铜核球(CCSB)的抗坍塌性能为电子封装领域注入了全新活力。在回焊场景下，其凭借高熔点特性彻底攻克了传统锡球焊点熔融坍塌的行业难题，从根本上提升了焊点的稳定性与可靠性，成为电子元件结构安全的稳固基石。

从技术革新维度审视，铜核球抗坍塌性能的突破不仅是一次工艺升级，更标志着电子封装领域向高性能、小型化目标迈出关键一步。随着技术迭代的持续推进，这一创新解决方案有望在更多前沿应用场景中释放潜力，持续引领行业向更高可靠性、更精密集成的方向革新发展，值得行业持续关注与期待。